2025年3月10日，第五屆激光金耀獎頒獎典禮在上海隆重舉行。金耀獎是由中國光學學會激光加工委員會支持，聯合行業內多家權威機構共同設立，旨在發掘具有前瞻性、創新性和引領性的對中國激光行業產生重大影響的新技術、新產品和新應用，受到了激光行業及下游應用企業的廣泛關注。本次頒獎，吉光半導體科技有限公司（以下簡稱“吉光公司”）“高功率低發散角近圓形光束邊發射半導體激光芯片”榮獲“2025年激光金耀獎”新技術獎。

高功率邊發射半導體激光器具有重要的應用，但一直存在快軸發散角大（含95%能量發散角通常大于50°）、橢圓出光的問題，通常需要快慢軸分別準直，增大應用成本。該難題根源是傳統邊發射半導體激光器外延結構采用狹窄的全反射波導結構。針對該難題，吉光公司采用雙邊布拉格反射波導外延結構，利用光子帶隙效應限制光場，并調控光缺陷層抑制局域光波導效應，使快軸方向光模式尺寸增加到10μm以上且保持穩定的單橫模工作，從而顯著降低快軸發散角（95%能量發散角小于15°）。大的光模式尺寸還有利于降低光功率密度，提升災變損傷閾值功率。采用該技術，吉光公司在多個波段研制出高功率、近圓形邊發射半導體激光芯片，有利于簡化光學系統、改善光纖耦合效率，降低應用成本。

采用該技術，905nm波段半導體激光器單管：準連續輸出功率>27W，脈沖輸出功率>50W，快軸發散角<15°（含95%能量），有利于簡化光束整形系統、提高空間分辨率；976nm單模激光芯片：連續功率可超過1W，快軸發散角<15°（含95%能量），高的單模光纖模場匹配度明顯提升單模光纖耦合效率，采用平頭光纖直接耦合效率也可達65%以上，可大幅降低應用成本。

該技術是從半導體激光器外延結構入手，從源頭出發改善半導體激光器大的發散角等問題，展現出獨特優勢，并可拓展到不同材料體系，有望為半導體激光應用發展提供芯片級推動力。未來，公司將進一步完善以市場需求為導向的技術創新機制，通過強化關鍵技術自主可控能力與產業鏈協同效率，加速推進核心器件研發及產業化應用。