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- 外延生長
- 晶圓流片
- 芯片封裝
- 芯片測試
采用先進MOCVD系統生產制造應用于激光光源芯片生產的外延片，可提供2-6寸外延片生長的代工和定制化服務。
可自主生長出界面陡峭的GaAs、InP基三、四元材料，以及邊發射、垂直腔面發射等多種器件的外延結構。
可自主表征外延結構的波長、組分、摻雜等信息。
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光刻/刻蝕
光刻：紫外光刻、納米壓印
刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕
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薄膜沉積
絕緣膜沉積：SiO2、Si3N4、AI2O3、HfO2
金屬膜沉積：Ti、Pt、Au、AuGe、Ni、Ge、 Cr等
成膜技術：蒸鍍、濺鍍、電鍍
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離子注入
注入晶圓尺寸：4寸、6寸及小片
注入能量范圍：30-380keV (Single Charge)
注入元素：H+、He+
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解理/腔面鍍膜
鍍膜材料：SiO2、Al2O3、Ta2O5、Nb2O5、Ti3O5、Si
反射率：0.1%-99%
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減薄拋光
GaAs、InP襯底
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濕法氧化
濕法氧化技術：Al(Ga)As 濕氮氧化
晶片尺寸：4寸、6寸及小片
吉光具備提供多種封裝定制方案的能力，具體包括 TO、COC、COS、C-Mount、CS、F-Mount封裝以及光纖耦合模塊封裝等，旨在精準適配各類應用場景的定制化要求。
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COS模塊
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F-MOUNT模塊
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光纖耦合模塊
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半導體激光器系統
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COC模塊
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1
自動化芯片測試
4-6寸VCSEL晶圓自動探測及分選
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2
高頻芯片測試
小信號測試、大信號測試、RIN測試
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3
可靠性測試與驗證
老化實時監測、-40~85℃溫度循環、高溫高濕試驗
